Deplasarea electronilor de conductie din metal este ingreunata de vibratiile atomilor in nodurile retelei cristaline. Fiindca amplitudinea vibratiilor este dependenta de temperatura si rezistivitatea electrica a metalelor este. Cunoscand dependenta de temperatura a rezistivitatii electrice a metalului, putem construi un senzor de temperatura bazat pe acest fenomen.
Platina se utilizeaza la construirea termorezistentelor fiindca se prelucreaza relativ usor si este stabila din punct de vedere chimic si fizic pe o gama larga de temperaturi in diverse medii.
Figura 1. Structura unei termorezistente din platina.
Comportarea rezistentei electrice a platinei in functie de temperatura este descrisa de ecuatia empirica Callendar-Van Dusen :
R/R0 = 1+a× [t – d× (t/100 –1)× (t/100) – b× (t/100 –1)× (t/100)3]
R=R0 (1+A× t+B× t2 ) t > 0oC
R=R0 [1+A× t+B× t2 +C× (t- 100)× t3] t < 0oC
unde: A= a × (1+d
/100) oC-1
B = -a×d
10-4 oC-2
.
Pentru intersanjabilitatea termorezistentelor de Pt standardul international IEC 751, echivalent ITS 90, stabileste urmatoarele valori pentru coeficientii din relatia rezistenta/temperatura :
A= 3,90833 × 10 -
3 oC - 1 ;
B= - 5,7753 × 10-
7 oC - 2 ;
C= - 4,1833 × 10-
12 oC - 4 .
Precizie . Standardul IEC 751 stabileste doua clase de precizie pentru tolerantele admise la citirea temperaturii cu ajutorul termorezistentelor de platina:
Repetabilitate = proprietatea senzorului de-a indica aceleasi valori pentru aceleasi conditii de intrare aplicate in mod repetat.
Figura 2. Termorezistenta cu film subtire din Pt.
Preturi intre 10 ö
30 DM senzorul.